창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AI-83-33E-32.000000T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiT8008 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIT8008AI-83-33E-32.000000T | |
관련 링크 | SIT8008AI-83-, SIT8008AI-83-33E-32.000000T Datasheet, SiTIME Distributor |
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![]() | FCP1913H104G | 0.1µF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS) 1913 (4833 Metric) 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) | FCP1913H104G.pdf | |
![]() | 7A-24.000MBBK-T | 24MHz ±50ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-24.000MBBK-T.pdf | |
![]() | SIT8008AIB82-33N-77.760000Y | OSC XO 3.3V 77.76MHZ NC | SIT8008AIB82-33N-77.760000Y.pdf | |
![]() | STL11N65M2 | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H | STL11N65M2.pdf | |
![]() | 1008-331G | 330nH Unshielded Inductor 954mA 165 mOhm Max 2-SMD | 1008-331G.pdf | |
![]() | 2821232 | RELAY GEN PUR | 2821232.pdf | |
![]() | RNCP0603FTD511R | RES SMD 511 OHM 1% 1/8W 0603 | RNCP0603FTD511R.pdf | |
![]() | Y1625900R000T9W | RES SMD 900 OHM 0.01% 0.3W 1206 | Y1625900R000T9W.pdf | |
![]() | AF122-FR-07887KL | RES ARRAY 2 RES 887K OHM 0404 | AF122-FR-07887KL.pdf | |
![]() | 4306M-101-151 | RES ARRAY 5 RES 150 OHM 6SIP | 4306M-101-151.pdf | |
![]() | Y0022890K000C9L | RES 890K OHM 1/2W 0.25% RADIAL | Y0022890K000C9L.pdf |