SiTIME SIT8008AIR1-18S

SIT8008AIR1-18S
제조업체 부품 번호
SIT8008AIR1-18S
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Standby
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT8008AIR1-18S 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,142.39200
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT8008AIR1-18S, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT8008AIR1-18S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT8008AIR1-18S, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT8008AIR1-18S 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT8008AIR1-18S 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT8008AIR1-18S
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SiT8008 Datasheet
SIT8008 Part Number Guide
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT8008
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위1MHz ~ 110MHz
기능대기
출력HCMOS, LVCMOS
전압 - 공급1.8V
주파수 안정도±20ppm
주파수 안정도(총)-
작동 온도-40°C ~ 85°C
확산 대역 대역폭-
전류 - 공급(최대)3.9mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm)
높이0.031"(0.80mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)1.3µA
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT8008AIR1-18S
관련 링크SIT8008, SIT8008AIR1-18S Datasheet, SiTIME Distributor
SIT8008AIR1-18S 의 관련 제품
6pF 50V 세라믹 커패시터 CH 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) C1608CH1H060C080AA.pdf
0.056µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) 12101C563JAT2A.pdf
300pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D301FLPAR.pdf
0.1µF Film Capacitor 63V 100V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) BFC238021104.pdf
0.047µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.591" W (31.50mm x 15.00mm) MKP1846347205.pdf
TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMB SMBG6.0AHE3/52.pdf
MOSFET N-CH 20V SC-89 SI1062X-T1-GE3.pdf
47µH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 94 mOhm Nonstandard ELL-ATV470M.pdf
RES SMD 4.75KOHM 0.05% 1/4W 1206 ERA-8ARW4751V.pdf
RES SMD 1.96K OHM 0.5% 1/4W 1206 RG3216N-1961-D-T5.pdf
RES 5.6 OHM 1/4W 5% AXIAL ERD-S2TJ5R6V.pdf
RES 0.01 OHM 2W 1% AXIAL WLCR010FE.pdf