창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008BC-12-33S-18.100000D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiT8008B | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIT8008BC-12-33S-18.100000D | |
관련 링크 | SIT8008BC-12-, SIT8008BC-12-33S-18.100000D Datasheet, SiTIME Distributor |
![]() | 170M2701 | FUSE 125A 690V DIN 00 GR | 170M2701.pdf | |
![]() | 2JQ 750-R | FUSE GLASS 750MA 350VAC 140VDC | 2JQ 750-R.pdf | |
![]() | SA70CA-E3/73 | TVS DIODE 70VWM 113VC DO204AC | SA70CA-E3/73.pdf | |
![]() | 416F27125ATT | 27.12MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27125ATT.pdf | |
![]() | VLZ10B-GS08 | DIODE ZENER 9.66V 500MW SOD80 | VLZ10B-GS08.pdf | |
![]() | STD11N65M2 | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK | STD11N65M2.pdf | |
![]() | MLG0402Q2N3CT000 | 2.3nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q2N3CT000.pdf | |
![]() | S0402-6N8J3 | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-6N8J3.pdf | |
![]() | ERJ-P6WF1540V | RES SMD 154 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF1540V.pdf | |
![]() | CRCW020116R2FNED | RES SMD 16.2 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020116R2FNED.pdf | |
![]() | H420R5BCA | RES 20.5 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H420R5BCA.pdf | |
![]() | 23J25R | RES 25 OHM 3W 5% AXIAL | 23J25R.pdf |