SiTIME SIT8008BI-82-33E-100.000000X

SIT8008BI-82-33E-100.000000X
제조업체 부품 번호
SIT8008BI-82-33E-100.000000X
제조업 자
제품 카테고리
발진기
간단한 설명
100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT8008BI-82-33E-100.000000X 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,048.51168
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT8008BI-82-33E-100.000000X, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT8008BI-82-33E-100.000000X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT8008BI-82-33E-100.000000X, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT8008BI-82-33E-100.000000X 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT8008BI-82-33E-100.000000X 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT8008BI-82-33E-100.000000X
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SiT8008B
PCN 포장TR Pkg Update 27/Jul/2016
종류수정 및 발진기
제품군발진기
제조업체SiTIME
계열SiT8008
포장테이프 및 릴(TR)
유형MEMS(실리콘)
주파수100MHz
기능활성화/비활성화
출력LVCMOS
전압 - 공급3.3V
주파수 안정도±25ppm
작동 온도-40°C ~ 85°C
전류 - 공급(최대)4.5mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
크기/치수0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm)
높이0.039"(1.00mm)
패키지/케이스4-SMD, 무연(DFN, LCC)
전류 - 공급(비활성화)(최대)4mA
표준 포장 250
다른 이름1473-1494-2
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT8008BI-82-33E-100.000000X
관련 링크SIT8008BI-82-3, SIT8008BI-82-33E-100.000000X Datasheet, SiTIME Distributor
SIT8008BI-82-33E-100.000000X 의 관련 제품
3.3µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 60 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C B41851A6335M8.pdf
56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) UMK105CG560JVHF.pdf
2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) VJ0402D2R0BXAAJ.pdf
35F Supercap 2.7V Radial, Can 20 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 65°C 0.492" Dia (12.50mm) HV1245-2R7356-R.pdf
12MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 7V-12.000MAAV-T.pdf
DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220F FMM-22S.pdf
MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P IXTQ130N15T.pdf
270µH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 1.11 Ohm Max Nonstandard SDR0805-271KL.pdf
ADJ(DJ) RELAY (SEALED, 2A, SINGL ADJ66006.pdf
RES SMD 820K OHM 0.05% 1/4W 1206 RG3216N-8203-W-T1.pdf
RES SMD 825 OHM 0.05% 1/8W 0805 RG2012V-8250-W-T1.pdf
Photodiode 660nm 13ns 120° SD445-14-21-305.pdf