SiTIME SIT8208AI-8-18S
- 제조업체 부품 번호
- SIT8208AI-8-18S
- 제조업 자
- SiTIME
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Standby
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIT8208AI-8-18S 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,562.04800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIT8208AI-8-18S, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT8208AI-8-18S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT8208AI-8-18S, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIT8208AI-8-18S 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIT8208AI-8-18S 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8208AI-8-18S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Field Programmable Oscillator SiT8208 Datasheet SIT8208 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8208 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±20ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 31mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.039"(1.00mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8208AI-8-18S | |
| 관련 링크 | SIT8208, SIT8208AI-8-18S Datasheet, SiTIME Distributor | |
SIT8208AI-8-18S 의 관련 제품
 | KMG50VBR47M5X11LL | 0.47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 423.191 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | KMG50VBR47M5X11LL.pdf | |
 | BFC238558562 | 5600pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC238558562.pdf | |
 | 416F27133ILR | 27.12MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27133ILR.pdf | |
| SIT8208ACF82-33E-19.200000T | OSC XO 3.3V 19.2MHZ OE | SIT8208ACF82-33E-19.200000T.pdf | |
| SIT3907AC-2F-25NM-57.600000Y | OSC XO 2.5V 57.6MHZ 25 PPM PR | SIT3907AC-2F-25NM-57.600000Y.pdf | |
 | VS-2EJH02HM3/6B | DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC | VS-2EJH02HM3/6B.pdf | |
 | SI2312BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | SI2312BDS-T1-GE3.pdf | |
 | ELL-CTV120M | 12µH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 22 mOhm Nonstandard | ELL-CTV120M.pdf | |
 | VO617A-4X006 | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP | VO617A-4X006.pdf | |
.jpg) | AT0603DRD0721K5L | RES SMD 21.5KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD0721K5L.pdf | |
.jpg) | RT1210FRD07220RL | RES SMD 220 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD07220RL.pdf | |
 | PLTT0805Z1501AGT5 | RES SMD 1.5K OHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z1501AGT5.pdf |
