창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8208AI-G2-18S-25.000000Y | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiT8208 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIT8208AI-G2-18S-25.000000Y | |
관련 링크 | SIT8208AI-G2-, SIT8208AI-G2-18S-25.000000Y Datasheet, SiTIME Distributor |
![]() | B32573A3155J | 1.5µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP 0.945" L x 0.299" W (24.00mm x 7.60mm) | B32573A3155J.pdf | |
![]() | 293D336X9004C2TE3 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 4V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 293D336X9004C2TE3.pdf | |
![]() | 06035J5R1BAWTR | 5.1pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J5R1BAWTR.pdf | |
![]() | TS19BF33IDT | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS19BF33IDT.pdf | |
![]() | 416F40635CLT | 40.61MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40635CLT.pdf | |
![]() | SI5517DU-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | SI5517DU-T1-GE3.pdf | |
![]() | BSO080P03S H | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | BSO080P03S H.pdf | |
![]() | CRGH2010J360K | RES SMD 360K OHM 5% 1W 2010 | CRGH2010J360K.pdf | |
![]() | 746X101561JP | RES ARRAY 8 RES 560 OHM 1206 | 746X101561JP.pdf | |
![]() | MBA02040C2154FC100 | RES 2.15M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2154FC100.pdf | |
![]() | AH276Z4-CG1 | IC HALL EFFECT LATCH | AH276Z4-CG1.pdf | |
![]() | DS18B20-PAR+T&R | SENSOR TEMPERATURE 1-WIRE TO92-3 | DS18B20-PAR+T&R.pdf |