SiTIME SIT8209AI-3-18E
- 제조업체 부품 번호
- SIT8209AI-3-18E
- 제조업 자
- SiTIME
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 80.000001MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA Enable/Disable
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIT8209AI-3-18E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 5,507.20700
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIT8209AI-3-18E, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT8209AI-3-18E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT8209AI-3-18E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIT8209AI-3-18E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIT8209AI-3-18E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8209AI-3-18E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SiT8209 Datasheet SIT8209 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8209 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 80.000001MHz ~ 220MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±20ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 33mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 31mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8209AI-3-18E | |
| 관련 링크 | SIT8209, SIT8209AI-3-18E Datasheet, SiTIME Distributor | |
SIT8209AI-3-18E 의 관련 제품
 | UCS2G100MPD1TD | 10µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UCS2G100MPD1TD.pdf | |
 | CS65-B2GA221KANKA | 220pF 300VAC 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | CS65-B2GA221KANKA.pdf | |
.jpg) | CL02C120GO2GNNC | 12pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | CL02C120GO2GNNC.pdf | |
 | VJ0805D430MXXAJ | 43pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D430MXXAJ.pdf | |
| BFC237116184 | 0.18µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | BFC237116184.pdf | |
 | 35821000009 | FUSE CERAMIC 10A 500VAC 3AB 3AG | 35821000009.pdf | |
 | 9C12076001 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C12076001.pdf | |
 | CVCO55BE-3200-3400 | Center Frequency 3300MHz Voltage Controlled Oscillator 0 ~ 5 V 0 ±3.5 dBm -15 dBc | CVCO55BE-3200-3400.pdf | |
| TYS252012L1R5M-10 | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 136 mOhm Max Nonstandard | TYS252012L1R5M-10.pdf | |
 | RMCF0603FT11K5 | RES SMD 11.5K OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT11K5.pdf | |
 | RG2012P-3403-D-T5 | RES SMD 340K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-3403-D-T5.pdf | |
.jpg) | RP73D2B5R11BTDF | RES SMD 5.11 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B5R11BTDF.pdf |
