SiTIME SIT8209AI-3-18E

SIT8209AI-3-18E
제조업체 부품 번호
SIT8209AI-3-18E
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
80.000001MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT8209AI-3-18E 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 5,507.20700
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT8209AI-3-18E, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT8209AI-3-18E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT8209AI-3-18E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT8209AI-3-18E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT8209AI-3-18E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT8209AI-3-18E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SiT8209 Datasheet
SIT8209 Part Number Guide
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT8209
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위80.000001MHz ~ 220MHz
기능활성화/비활성화
출력LVCMOS, LVTTL
전압 - 공급1.8V
주파수 안정도±20ppm
주파수 안정도(총)-
작동 온도-40°C ~ 85°C
확산 대역 대역폭-
전류 - 공급(최대)33mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm)
높이0.031"(0.80mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)31mA
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT8209AI-3-18E
관련 링크SIT8209, SIT8209AI-3-18E Datasheet, SiTIME Distributor
SIT8209AI-3-18E 의 관련 제품
3300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C332F1GACTU.pdf
560pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) VJ1812A561KBLAT4X.pdf
1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) MR055A102KAA.pdf
680pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 X7R 비표준 칩 0.270" L x 0.250" W(6.90mm x 6.40mm) 2AX681K5.pdf
1500pF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) BFC247051152.pdf
FUSE BOARD MOUNT 2A 32VDC 0402 MFU0402FF02000E500.pdf
OSC XO 3.3V 12MHZ OE SIT1618BA-32-33E-12.000000Y.pdf
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK STD70N10F4.pdf
47nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) IMC0603ER47NJ01.pdf
2.2mH Unshielded Inductor 280mA 4.4 Ohm Max 2-SMD 8532R-41H.pdf
RES SMD 6.8 OHM 1% 1/6W 0402 RL0510S-6R8-F.pdf
RES SMD 14K OHM 0.1% 1/8W 0805 RNCF0805BTE14K0.pdf