SiTIME SIT9002AC-38N25EG

SIT9002AC-38N25EG
제조업체 부품 번호
SIT9002AC-38N25EG
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 51mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT9002AC-38N25EG 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 13,624.35100
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT9002AC-38N25EG, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9002AC-38N25EG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9002AC-38N25EG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT9002AC-38N25EG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT9002AC-38N25EG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT9002AC-38N25EG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIT9002 Datasheet
SIT9002 Part Number Guide
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT9002
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위1MHz ~ 220MHz
기능활성화/비활성화
출력CML
전압 - 공급2.5V
주파수 안정도±25ppm
주파수 안정도(총)-
작동 온도-20°C ~ 70°C
확산 대역 대역폭±1.00%, 중심 확산
전류 - 공급(최대)51mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm)
높이0.039"(1.00mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)10µA
표준 포장 1
다른 이름SiT9002AC-38N25EG
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT9002AC-38N25EG
관련 링크SIT9002A, SIT9002AC-38N25EG Datasheet, SiTIME Distributor
SIT9002AC-38N25EG 의 관련 제품
3300µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C UHE0J332MHT.pdf
18pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) SQCAEM180JATWE.pdf
Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) BFC241606203.pdf
TVS DIODE 477VWM 761.25VC SMD P4SMA530C.pdf
TVS DIODE 30VWM 48.4VC P600 3KP30CA-B.pdf
100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTA-100.000MHZ-XJ-E-T3.pdf
Center Frequency 4.8375GHz, 9.675GHz Voltage Controlled Oscillator 2 ~ 13 V 7.5±4.5, 11±4 dBm 14 dBc HMC1162LP5ETR.pdf
RECTIFIER BRIDGE 10A 400V KBPC KBPC1004-G.pdf
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL EU02Z.pdf
3.9nH Unshielded Wirewound Inductor 840mA 66 mOhm Max 0402 (1005 Metric) IMC0402ER3N9C01.pdf
RES CHAS MNT 75 OHM 1% 7.5W UAL5-75RF8.pdf
RES SMD 3.3K OHM 0.05% 1/8W 0805 RG2012V-332-W-T1.pdf