SiTIME SIT9002AI-08H18DG

SIT9002AI-08H18DG
제조업체 부품 번호
SIT9002AI-08H18DG
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT9002AI-08H18DG 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 13,624.35100
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT9002AI-08H18DG, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9002AI-08H18DG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9002AI-08H18DG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT9002AI-08H18DG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT9002AI-08H18DG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT9002AI-08H18DG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIT9002 Datasheet
비디오 파일SiTIME Time Machine II Programmer | Digi-Key Daily
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT9002
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위1MHz ~ 220MHz
기능-
출력LVPECL
전압 - 공급1.8V
주파수 안정도±50ppm
주파수 안정도(총)-
작동 온도-40°C ~ 85°C
확산 대역 대역폭±1.00%, 중심 확산
전류 - 공급(최대)-
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm)
높이0.039"(1.00mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)-
표준 포장 1
다른 이름SiT9002AI-08H18DG
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT9002AI-08H18DG
관련 링크SIT9002A, SIT9002AI-08H18DG Datasheet, SiTIME Distributor
SIT9002AI-08H18DG 의 관련 제품
4700µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 82 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C MAL205874472E3.pdf
270pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) C0603C271K5RACTU.pdf
0.027µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) BFC238036273.pdf
100µF Film Capacitor 63V 160V Polyester, Metallized Radial 1.673" L x 1.181" W (42.50mm x 30.00mm) MKT1820710165.pdf
22µF Molded Tantalum Capacitors 15V Axial 0.180" Dia x 0.420" L (4.57mm x 10.67mm) TAC226K015P06-F.pdf
37.4MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 402F3741XIAT.pdf
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 BSZ086P03NS3E G.pdf
22µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 84 mOhm Max Nonstandard MBH7045C-220MB=P3.pdf
10µH Unshielded Inductor 7.88A 16 mOhm Max Nonstandard 5500R-103K.pdf
RES SMD 374K OHM 1% 1/16W 0603 CPF0603F374KC1.pdf
RES SMD 7.87K OHM 1/4W 0604 WIDE MCW0406MD7871BP100.pdf
RES 8.98K OHM 1/2W .5% AXIAL CMF558K9800DHBF.pdf