SiTIME SIT9002AI-13N18EB

SIT9002AI-13N18EB
제조업체 부품 번호
SIT9002AI-13N18EB
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT9002AI-13N18EB 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 13,624.35100
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT9002AI-13N18EB, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9002AI-13N18EB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9002AI-13N18EB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT9002AI-13N18EB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT9002AI-13N18EB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT9002AI-13N18EB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIT9002 Datasheet
비디오 파일SiTIME Time Machine II Programmer | Digi-Key Daily
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT9002
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위1MHz ~ 220MHz
기능활성화/비활성화
출력LVPECL
전압 - 공급1.8V
주파수 안정도±50ppm
주파수 안정도(총)-
작동 온도-40°C ~ 85°C
확산 대역 대역폭±0.25%, 중심 확산
전류 - 공급(최대)-
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm)
높이0.031"(0.80mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)10µA
표준 포장 1
다른 이름SiT9002AI-13N18EB
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT9002AI-13N18EB
관련 링크SIT9002A, SIT9002AI-13N18EB Datasheet, SiTIME Distributor
SIT9002AI-13N18EB 의 관련 제품
33000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 21 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C B41456B4339M.pdf
1200pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) MKP385212200JC02H0.pdf
0.022µF Film Capacitor 220V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Axial 0.354" Dia x 0.748" L (9.00mm x 19.00mm) MKT1813322104.pdf
VARISTOR 56V 200A 1206 VCAS120645K900DP.pdf
37.4MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F37423CLT.pdf
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP SPA07N60CFDXKSA1.pdf
68µH Shielded Wirewound Inductor 320mA 1.2 Ohm Max Nonstandard NR4018T680M.pdf
68µH Shielded Wirewound Inductor 285mA 1.951 Ohm Nonstandard SD3814-680-R.pdf
RES SMD 464 OHM 1% 1/10W 0603 Y4013464R000F9W.pdf
RES 9.53K OHM 1/4W .1% AXIAL RNF14BAE9K53.pdf
RES 8.2 OHM 5W 5% RADIAL TA305PA8R20J.pdf
SENSOR 16CH 10MM 24VDC NPN SF2-EH16-N.pdf