SiTIME SIT9002AI-33N33EO

SIT9002AI-33N33EO
제조업체 부품 번호
SIT9002AI-33N33EO
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 51mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT9002AI-33N33EO 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 13,624.35100
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT9002AI-33N33EO, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9002AI-33N33EO can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9002AI-33N33EO, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT9002AI-33N33EO 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT9002AI-33N33EO 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT9002AI-33N33EO
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIT9002 Datasheet
비디오 파일SiTIME Time Machine II Programmer | Digi-Key Daily
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT9002
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위1MHz ~ 220MHz
기능활성화/비활성화
출력CML
전압 - 공급3.3V
주파수 안정도±50ppm
주파수 안정도(총)-
작동 온도-40°C ~ 85°C
확산 대역 대역폭-0.50%, 하향 확산
전류 - 공급(최대)51mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm)
높이0.031"(0.80mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)10µA
표준 포장 1
다른 이름SiT9002AI-33N33EO
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT9002AI-33N33EO
관련 링크SIT9002A, SIT9002AI-33N33EO Datasheet, SiTIME Distributor
SIT9002AI-33N33EO 의 관련 제품
4.7µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C UVZ2V4R7MPD.pdf
3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) CL10B332KB8NFNC.pdf
0.033µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) MKP385333063JC02Z0.pdf
0.022µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.295" Dia x 0.669" L (7.50mm x 17.00mm) MKP1845322404.pdf
FUSE CARTRIDGE 390A 5.5KVAC CYL 39018R2IB5.5.pdf
TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO204AL BZW04-15-E3/54.pdf
TVS DIODE 190VWM 307.8VC R-6 A5KP190A-G.pdf
37.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F37423ADR.pdf
16.369MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 2.8V 2mA 520T10DT16M3690.pdf
DIODE ARRAY GP 200V 34A TO247AD DSEK60-02A.pdf
820µH Unshielded Wirewound Inductor 60mA 20.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) LQH43MN821J03L.pdf
4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 5A 14 mOhm Max Nonstandard 784776047.pdf