SiTIME SIT9002AI-38H18SK
- 제조업체 부품 번호
- SIT9002AI-38H18SK
- 제조업 자
- SiTIME
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 51mA Standby
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIT9002AI-38H18SK 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 13,624.35100
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIT9002AI-38H18SK, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9002AI-38H18SK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9002AI-38H18SK, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIT9002AI-38H18SK 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIT9002AI-38H18SK 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT9002AI-38H18SK | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIT9002 Datasheet | |
| 비디오 파일 | SiTIME Time Machine II Programmer | Digi-Key Daily | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT9002 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 220MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | CML | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | ±2.00%, 중심 확산 | |
| 전류 - 공급(최대) | 51mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.039"(1.00mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SiT9002AI-38H18SK | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIT9002AI-38H18SK | |
| 관련 링크 | SIT9002A, SIT9002AI-38H18SK Datasheet, SiTIME Distributor | |
SIT9002AI-38H18SK 의 관련 제품
 | C1206X103KDRAC7800 | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206X103KDRAC7800.pdf | |
| C911U180JZNDBAWL35 | 18pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U180JZNDBAWL35.pdf | |
 | 5KP13C | TVS DIODE 13VWM 22.58VC AXIAL | 5KP13C.pdf | |
 | 416F27035CDR | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27035CDR.pdf | |
 | BZD27C120P-M3-08 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M3 | BZD27C120P-M3-08.pdf | |
 | SCRH73-681 | 680µH Shielded Inductor 190mA 5.73 Ohm Max Nonstandard | SCRH73-681.pdf | |
 | TLP521-4XGB | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 4 Channel 16-DIP | TLP521-4XGB.pdf | |
 | MCR50JZHF8251 | RES SMD 8.25K OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHF8251.pdf | |
.jpg) | ERA-8APB4641V | RES SMD 4.64K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB4641V.pdf | |
 | RG2012N-4321-D-T5 | RES SMD 4.32K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-4321-D-T5.pdf | |
| Y162740K0000B9R | RES SMD 40K OHM 0.1% 1/2W 2010 | Y162740K0000B9R.pdf | |
 | RNF18FTD4K99 | RES 4.99K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD4K99.pdf |
