SiTIME SIT9002AI-38N33SB
- 제조업체 부품 번호
- SIT9002AI-38N33SB
- 제조업 자
- SiTIME
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 51mA Standby
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIT9002AI-38N33SB 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 13,624.35100
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIT9002AI-38N33SB, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9002AI-38N33SB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9002AI-38N33SB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIT9002AI-38N33SB 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIT9002AI-38N33SB 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT9002AI-38N33SB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIT9002 Datasheet | |
| 비디오 파일 | SiTIME Time Machine II Programmer | Digi-Key Daily | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT9002 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 220MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | CML | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | ±0.25%, 중심 확산 | |
| 전류 - 공급(최대) | 51mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.039"(1.00mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SiT9002AI-38N33SB | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIT9002AI-38N33SB | |
| 관련 링크 | SIT9002A, SIT9002AI-38N33SB Datasheet, SiTIME Distributor | |
SIT9002AI-38N33SB 의 관련 제품
 | AFK477M35H32T-F | 470µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 60 mOhm @ 100kHz 5000 Hrs @ 105°C | AFK477M35H32T-F.pdf | |
 | 08053U101KAT4A | 100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053U101KAT4A.pdf | |
 | VJ0805D201KXCAJ | 200pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D201KXCAJ.pdf | |
| MAL219691154E3 | 4F Supercap 5.6V Coin, Wide Terminals Same Side 10 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 85°C 0.551" L x 0.551" W (14.00mm x 14.00mm) | MAL219691154E3.pdf | |
 | MKP1847550354P4 | 5µF Film Capacitor 350V 700V Polypropylene (PP), Metallized Radial - 4 Leads 1.693" L x 0.728" W (43.00mm x 18.50mm) | MKP1847550354P4.pdf | |
 | 1.5SMC20 | TVS DIODE 17.1VWM 29.09VC SMD | 1.5SMC20.pdf | |
| TS073F23IET | 7.3728MHz ±20ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS073F23IET.pdf | |
 | TA-12.288MBE-T | 12.288MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TA-12.288MBE-T.pdf | |
 | MUR2X060A06 | DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 | MUR2X060A06.pdf | |
 | FCPF380N60E | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | FCPF380N60E.pdf | |
| PE-1008CM182JTT | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 5.09 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CM182JTT.pdf | |
 | Y16293K30000F9W | RES SMD 3.3K OHM 1% 1/10W 0805 | Y16293K30000F9W.pdf |
