SiTIME SIT9002AI-43N25EB

SIT9002AI-43N25EB
제조업체 부품 번호
SIT9002AI-43N25EB
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT9002AI-43N25EB 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 13,624.35100
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT9002AI-43N25EB, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9002AI-43N25EB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9002AI-43N25EB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT9002AI-43N25EB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT9002AI-43N25EB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT9002AI-43N25EB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIT9002 Datasheet
비디오 파일SiTIME Time Machine II Programmer | Digi-Key Daily
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT9002
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위1MHz ~ 220MHz
기능활성화/비활성화
출력HCSL
전압 - 공급2.5V
주파수 안정도±50ppm
주파수 안정도(총)-
작동 온도-40°C ~ 85°C
확산 대역 대역폭±0.25%, 중심 확산
전류 - 공급(최대)80mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm)
높이0.031"(0.80mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)10µA
표준 포장 1
다른 이름SiT9002AI-43N25EB
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT9002AI-43N25EB
관련 링크SIT9002A, SIT9002AI-43N25EB Datasheet, SiTIME Distributor
SIT9002AI-43N25EB 의 관련 제품
680µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C MAL215056681E3.pdf
30pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D300JLBAJ.pdf
1µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) LD18YD105KAB2A.pdf
25pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 R85 축방향, CAN 0.630" Dia x 0.394" W(16.00mm x 10.00mm) BF016010BE25036BJ1.pdf
DIODE SB 40V 1A SMD1006 RB161QS-40T18R.pdf
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP ALD110902PAL.pdf
Shielded 2 Coil Inductor Array 11.32µH Inductance - Connected in Series 2.831µH Inductance - Connected in Parallel 5.67 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 10.4A Nonstandard DRQ127-3R3-R.pdf
3.3µH Shielded Molded Inductor 195mA 1.5 Ohm Max Axial 1325-332J.pdf
RES SMD 619 OHM 1% 3/4W 2010 RC2010FK-07619RL.pdf
RES SMD 806 OHM 0.1% 1/10W 0805 RN73C2A806RBTG.pdf
RES SMD 36 OHM 1% 1/2W 0805 CRCW080536R0FKEAHP.pdf
RES ARRAY 2 RES 510 OHM 0302 YC102-JR-07510RL.pdf