SiTIME SIT9002AI-43N33DO

SIT9002AI-43N33DO
제조업체 부품 번호
SIT9002AI-43N33DO
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 80mA
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT9002AI-43N33DO 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 13,624.35100
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT9002AI-43N33DO, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9002AI-43N33DO can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9002AI-43N33DO, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT9002AI-43N33DO 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT9002AI-43N33DO 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT9002AI-43N33DO
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIT9002 Datasheet
비디오 파일SiTIME Time Machine II Programmer | Digi-Key Daily
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT9002
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위1MHz ~ 220MHz
기능-
출력HCSL
전압 - 공급3.3V
주파수 안정도±50ppm
주파수 안정도(총)-
작동 온도-40°C ~ 85°C
확산 대역 대역폭-0.50%, 하향 확산
전류 - 공급(최대)80mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm)
높이0.031"(0.80mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)-
표준 포장 1
다른 이름SiT9002AI-43N33DO
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT9002AI-43N33DO
관련 링크SIT9002A, SIT9002AI-43N33DO Datasheet, SiTIME Distributor
SIT9002AI-43N33DO 의 관련 제품
1800µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 92 mOhm 2000 Hrs @ 85°C ESMH161VSN182MR50S.pdf
8200µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C UPW0J822MHH.pdf
680pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 2-DIP 0.260" L x 0.100" W(6.60mm x 2.54mm) MD015C681KAB.pdf
0.33µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) F1778433M3FLB0.pdf
10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2910 (7227 Metric) 1 Ohm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) T95Y106M025HZSL.pdf
VARISTOR 5V 120A 0805 VC080503C100DP.pdf
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 2N7002,215.pdf
IGBT 600V 23A 100W TO220AB IRG4BC30UDPBF.pdf
RES CHAS MNT 220 OHM 5% 1000W TE1000B220RJ.pdf
RES SMD 174 OHM 1% 1/2W 1210 CRCW1210174RFKTA.pdf
RES SMD 9.31M OHM 1% 1/2W 2010 CRGV2010F9M31.pdf
RES MO 1/2W 7.5OHM 5% AXL RSMF12JT7R50.pdf