SiTIME SIT9003AC-2-33EO

SIT9003AC-2-33EO
제조업체 부품 번호
SIT9003AC-2-33EO
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.1mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT9003AC-2-33EO 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,657.82600
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT9003AC-2-33EO, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9003AC-2-33EO can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9003AC-2-33EO, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT9003AC-2-33EO 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT9003AC-2-33EO 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT9003AC-2-33EO
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SiT9003 Datasheet
SIT9003 Part Number Guide
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체SiTIME
계열SiT9003
포장벌크
부품 현황유효
유형MEMS(실리콘)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위1MHz ~ 110MHz
기능활성화/비활성화
출력LVCMOS, LVTTL
전압 - 공급3.3V
주파수 안정도±50ppm
주파수 안정도(총)±50ppm, ±100ppm
작동 온도-20°C ~ 70°C
확산 대역 대역폭-0.50%, 하향 확산
전류 - 공급(최대)4.1mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
높이0.031"(0.80mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)4.3µA
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT9003AC-2-33EO
관련 링크SIT9003A, SIT9003AC-2-33EO Datasheet, SiTIME Distributor
SIT9003AC-2-33EO 의 관련 제품
10µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 23.21 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C 106BPS035M.pdf
60pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) 12063A600FAT2A.pdf
0.82µF Film Capacitor 100V 400V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.331" W (17.50mm x 8.40mm) BFC230354824.pdf
6.8µF Film Capacitor 65V 100V Polyester, Metallized Radial 1.220" L x 0.630" W (31.00mm x 16.00mm) DMM1W6P8K-F.pdf
27MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) CX3225GB27000D0HEQCC.pdf
38.4MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F38433ISR.pdf
DIODE GEN PURP 50V 6A R6 6A05-TP.pdf
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK TK20G60W,RVQ.pdf
RES SMD 4.12KOHM 0.1% 1/16W 0603 CPF0603B4K12E1.pdf
RES SMD 392 OHM 0.1% 1/4W 1206 TNPW1206392RBEEA.pdf
RES SMD 1.87KOHM 0.1% 1/16W 0402 TNPW04021K87BETD.pdf
RES 1.5M OHM 1W 5% AXIAL OM1555E-R58.pdf