SiTIME SIT9003AI-2-33DB
- 제조업체 부품 번호
- SIT9003AI-2-33DB
- 제조업 자
- SiTIME
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.1mA
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIT9003AI-2-33DB 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,657.82600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIT9003AI-2-33DB, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9003AI-2-33DB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9003AI-2-33DB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIT9003AI-2-33DB 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIT9003AI-2-33DB 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT9003AI-2-33DB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SiT9003 Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT9003 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | - | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 3.3V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 주파수 안정도(총) | ±50ppm, ±100ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | ±0.25%, 중심 확산 | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.1mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.3µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIT9003AI-2-33DB | |
| 관련 링크 | SIT9003A, SIT9003AI-2-33DB Datasheet, SiTIME Distributor | |
SIT9003AI-2-33DB 의 관련 제품
 | VJ1812Y104JBBAT4X | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y104JBBAT4X.pdf | |
 | NX3225GA-25.000M-STD-CRG-1 | 25MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX3225GA-25.000M-STD-CRG-1.pdf | |
 | ABLSG-16.000MHZ-D2Y-T | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead) | ABLSG-16.000MHZ-D2Y-T.pdf | |
 | BCW30,235 | TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 | BCW30,235.pdf | |
 | FBMJ1608HM180NTW | 18 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Power Line 7.5A 1 Lines 4 mOhm Max DCR -40°C ~ 125°C | FBMJ1608HM180NTW.pdf | |
 | MBMK2520T4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 800mA 380 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | MBMK2520T4R7M.pdf | |
 | MLG0402Q3N8CT000 | 3.8nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.1 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q3N8CT000.pdf | |
 | DC1390R-473K | 47µH Unshielded Inductor 11.5A 18 mOhm Max Radial | DC1390R-473K.pdf | |
 | FVT05006E1R000JE | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 50W | FVT05006E1R000JE.pdf | |
 | CRCW02014K99FNED | RES SMD 4.99K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02014K99FNED.pdf | |
 | RG2012V-3161-D-T5 | RES SMD 3.16K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-3161-D-T5.pdf | |
 | OY222KE | RES 2.2K OHM 2W 10% AXIAL | OY222KE.pdf |
