창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIZ910DT-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiZ901DT | |
주요제품 | PowerPAIR® | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 48W, 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PowerPair® | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIZ910DT-T1-GE3TR SIZ910DTT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIZ910DT-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIZ910D, SIZ910DT-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | CL21C271KCANNNC | 270pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C271KCANNNC.pdf | |
![]() | BFC242032703 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | BFC242032703.pdf | |
T55A226M010C0200 | 22µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 200 mOhm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T55A226M010C0200.pdf | ||
![]() | 597D108X0004R2T | 1000µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 3024 (7660 Metric) 18 mOhm 0.299" L x 0.236" W (7.60mm x 6.00mm) | 597D108X0004R2T.pdf | |
![]() | P4SMA550 | TVS DIODE 495VWM 798VC SMD | P4SMA550.pdf | |
![]() | CR1206-FX-48R7ELF | RES SMD 48.7 OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-48R7ELF.pdf | |
![]() | CRA06E0836K80JTA | RES ARRAY 4 RES 6.8K OHM 1206 | CRA06E0836K80JTA.pdf | |
![]() | CMF55600R00FHEA | RES 600 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55600R00FHEA.pdf | |
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