Vishay BC Components SIZ920DT-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIZ920DT-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIZ920DT-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 840.64781
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIZ920DT-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIZ920DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ920DT-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIZ920DT-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIZ920DT-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIZ920DT-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIZ920DT | |
| 주요제품 | PowerPAIR® | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.1m옴 @ 18.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1260pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 39W, 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-PowerPair™ | |
| 공급 장치 패키지 | 6-PowerPair™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIZ920DT-T1-GE3TR SIZ920DTT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIZ920DT-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIZ920D, SIZ920DT-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIZ920DT-T1-GE3 의 관련 제품
 | 100NA2.2MEFC5X11 | 2.2µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 100NA2.2MEFC5X11.pdf | |
 | B41828A7226M | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B41828A7226M.pdf | |
-2.jpg) | C0402JB0G222K020BC | 2200pF 4V 세라믹 커패시터 JB 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402JB0G222K020BC.pdf | |
 | GCM1555C1H9R9DA16D | 9.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GCM1555C1H9R9DA16D.pdf | |
 | 08055A151KAT9A | 150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A151KAT9A.pdf | |
.jpg) | 501S42E430JV4E | 43pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 501S42E430JV4E.pdf | |
 | TA-8.000MCD-T | 8MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TA-8.000MCD-T.pdf | |
| SIT8008AI-11-33E-90.000000E | OSC XO 3.3V 90MHZ OE | SIT8008AI-11-33E-90.000000E.pdf | |
 | PE-0805CM330JTT | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 180 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | PE-0805CM330JTT.pdf | |
.jpg) | RC1005J753CS | RES SMD 75K OHM 5% 1/16W 0402 | RC1005J753CS.pdf | |
 | 742C163392JP | RES ARRAY 8 RES 3.9K OHM 2506 | 742C163392JP.pdf | |
| B59100M1080A70 | PTC Thermistor 100 Ohm Radial | B59100M1080A70.pdf |
