Vishay BC Components SM8S26ATHE3/I
- 제조업체 부품 번호
- SM8S26ATHE3/I
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- TVS - 다이오드
- 간단한 설명
- TVS DIODE 26VWM 42.1VC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SM8S26ATHE3/I 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,902.70133
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SM8S26ATHE3/I, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SM8S26ATHE3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SM8S26ATHE3/I, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SM8S26ATHE3/I 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SM8S26ATHE3/I 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SM8S26ATHE3/I | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SM8S10AT - SM8S43AT | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, PAR® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 26V | |
| 전압 - 항복(최소) | 28.9V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 42.1V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 157A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 6600W(6.6kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 자동차 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-218AC | |
| 공급 장치 패키지 | DO-218AC | |
| 표준 포장 | 750 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SM8S26ATHE3/I | |
| 관련 링크 | SM8S26, SM8S26ATHE3/I Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SM8S26ATHE3/I 의 관련 제품
.jpg) | C0805C220K1GACTU | 22pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C220K1GACTU.pdf | |
 | VJ0402D2R1CLCAC | 2.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R1CLCAC.pdf | |
 | VJ0805D1R0BXPAP | 1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R0BXPAP.pdf | |
 | 416F4001XCDR | 40MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4001XCDR.pdf | |
 | 402F20033CAT | 20MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20033CAT.pdf | |
| SIT1602AI-82-33E-74.250000T | OSC XO 3.3V 74.25MHZ OE | SIT1602AI-82-33E-74.250000T.pdf | |
 | MMBZ5244B-HE3-08 | DIODE ZENER 14V 225MW SOT23-3 | MMBZ5244B-HE3-08.pdf | |
 | SP1210-392J | 3.9µH Shielded Wirewound Inductor 665mA 470 mOhm Max Nonstandard | SP1210-392J.pdf | |
.jpg) | RT0805CRD0734K8L | RES SMD 34.8KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD0734K8L.pdf | |
 | RG2012N-434-W-T5 | RES SMD 430K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-434-W-T5.pdf | |
 | PCF14JT56R0 | RES 56 OHM 1/4W 5% CARBON FILM | PCF14JT56R0.pdf | |
 | CMF50110R00FKRE | RES 110 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50110R00FKRE.pdf |
