창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMAJ5916E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SMAJ5913 - 5956, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMAJ) | |
표준 포장 | 7,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SMAJ5916E3/TR13 | |
관련 링크 | SMAJ591, SMAJ5916E3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | VJ1812A681KBBAT4X | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A681KBBAT4X.pdf | |
![]() | 501R18N101JF4T | 100pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.125" L x 0.062" W(3.17mm x 1.57mm) | 501R18N101JF4T.pdf | |
![]() | SMA5J30A-E3/61 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMA | SMA5J30A-E3/61.pdf | |
![]() | NT3225SA-19.200000MHZ-T3 | 19.2MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 2.8V 1.5mA | NT3225SA-19.200000MHZ-T3.pdf | |
![]() | GBPC1504-G | RECTIFIER BRIDGE 15A 400V GBPC | GBPC1504-G.pdf | |
![]() | 1N5814 | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | 1N5814.pdf | |
![]() | BC846W,115 | TRANS NPN 65V 0.1A SOT323 | BC846W,115.pdf | |
![]() | NVR4003NT3G | MOSFET N-CH 30V SOT-23-3 | NVR4003NT3G.pdf | |
![]() | 4116R-1-243 | RES ARRAY 8 RES 24K OHM 16DIP | 4116R-1-243.pdf | |
![]() | CMF60750K00FKEA | RES 750K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60750K00FKEA.pdf | |
![]() | CPR03R1200KE14 | RES 0.12 OHM 3W 10% RADIAL | CPR03R1200KE14.pdf |