창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMAJ5917E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SMAJ5913 - 5956, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMAJ) | |
표준 포장 | 7,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SMAJ5917E3/TR13 | |
관련 링크 | SMAJ591, SMAJ5917E3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
VJ1210A102JBBAT4X | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A102JBBAT4X.pdf | ||
GRM2166T1H820JD01D | 82pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166T1H820JD01D.pdf | ||
GRM2196T2A1R4CD01D | 1.4pF 100V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196T2A1R4CD01D.pdf | ||
416F36025IKR | 36MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36025IKR.pdf | ||
WW1008R-102K | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 1.75 Ohm Max Nonstandard | WW1008R-102K.pdf | ||
RC1005J275CS | RES SMD 2.7M OHM 5% 1/16W 0402 | RC1005J275CS.pdf | ||
CRCW201018K2FKEFHP | RES SMD 18.2K OHM 1% 1W 2010 | CRCW201018K2FKEFHP.pdf | ||
RT0805BRC0740R2L | RES SMD 40.2 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC0740R2L.pdf | ||
Y4063700R000B0R | RES SMD 700 OHM 0.1% 1/2W 1206 | Y4063700R000B0R.pdf | ||
4608X-AP2-563LF | RES ARRAY 4 RES 56K OHM 8SIP | 4608X-AP2-563LF.pdf | ||
UB3C-0R4F8 | RES 0.4 OHM 3W 1% AXIAL | UB3C-0R4F8.pdf | ||
MS46LR-20-1215-Q1-50X-15R-NC-F | SYSTEM | MS46LR-20-1215-Q1-50X-15R-NC-F.pdf |