창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5336BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
PCN 단종/ EOL | SMByyyyy Device OBS Aug/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SMBJ5336BE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ5336, SMBJ5336BE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | 8Z30070003 | 30MHz ±10ppm 수정 10pF -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z30070003.pdf | |
![]() | FXO-HC730R-65.1 | 65.1MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC730R-65.1.pdf | |
![]() | SBR8E45P5-7 | DIODE RECT SBR 45V 8A POWERDI5 | SBR8E45P5-7.pdf | |
![]() | 1N5226B-T | DIODE ZENER 500MW DO35 | 1N5226B-T.pdf | |
![]() | AISC-1210-R33J-T | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 590mA 580 mOhm Max Nonstandard | AISC-1210-R33J-T.pdf | |
![]() | MM2KP AC220 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 220VAC Coil Socketable | MM2KP AC220.pdf | |
![]() | ERJ-2RKF3831X | RES SMD 3.83K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF3831X.pdf | |
![]() | CRCW2010820RJNTF | RES SMD 820 OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW2010820RJNTF.pdf | |
![]() | CRCW12061R60FKTA | RES SMD 1.6 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12061R60FKTA.pdf | |
![]() | CBT25K100K | RES 100K OHM 1/4W 10% AXIAL | CBT25K100K.pdf | |
![]() | PXV1220S-1DBN8-T | RF Attenuator 1dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-1DBN8-T.pdf |