Microsemi Corporation SMBJ5932BE3/TR13
- 제조업체 부품 번호
- SMBJ5932BE3/TR13
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 20V 2W SMBJ
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SMBJ5932BE3/TR13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 812.97200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SMBJ5932BE3/TR13, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. SMBJ5932BE3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMBJ5932BE3/TR13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SMBJ5932BE3/TR13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SMBJ5932BE3/TR13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5932BE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SMB(G,J)5913-5956,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 14옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SMBJ5932BE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBJ5932, SMBJ5932BE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
SMBJ5932BE3/TR13 의 관련 제품
.jpg) | 684MKP275K | 0.68µF Film Capacitor 310V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.256" W (31.00mm x 6.50mm) | 684MKP275K.pdf | |
 | MKP385333016JCI2B0 | 0.033µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKP385333016JCI2B0.pdf | |
| BFC233823684 | 0.68µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.354" W (31.50mm x 9.00mm) | BFC233823684.pdf | |
 | BK1/MCRW750MA | FUSE BOARD MNT 750MA 125VAC/VDC | BK1/MCRW750MA.pdf | |
 | 7B-20.000MBBK-T | 20MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B-20.000MBBK-T.pdf | |
 | 416F38412IKR | 38.4MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38412IKR.pdf | |
 | AIML-0603-R56K-T | 560nH Shielded Multilayer Inductor 35mA 1.55 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | AIML-0603-R56K-T.pdf | |
 | RR0510P-132-D | RES SMD 1.3K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510P-132-D.pdf | |
 | PATT1206E1003BGT1 | RES SMD 100K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PATT1206E1003BGT1.pdf | |
.jpg) | RT1206BRD07191KL | RES SMD 191K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07191KL.pdf | |
 | HMC457QS16GETR | RF Amplifier IC General Purpose 1.7GHz ~ 2.2GHz 16-QSOPG | HMC457QS16GETR.pdf | |
| PPT0300DRR2VB | Pressure Sensor ±300 PSI (±2068.43 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0300DRR2VB.pdf |
