Microsemi Corporation SMBJ5950AE3/TR13
- 제조업체 부품 번호
- SMBJ5950AE3/TR13
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 110V 2W SMBJ
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SMBJ5950AE3/TR13 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 812.97200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SMBJ5950AE3/TR13, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. SMBJ5950AE3/TR13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMBJ5950AE3/TR13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SMBJ5950AE3/TR13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SMBJ5950AE3/TR13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5950AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SMB(G,J)5913-5956,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 83.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SMBJ5950AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBJ5950, SMBJ5950AE3/TR13 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
SMBJ5950AE3/TR13 의 관련 제품
 | UUG0J682MNQ1MS | 6800µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | UUG0J682MNQ1MS.pdf | |
 | 564R20TSSD22 | 2200pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5S 방사형, 디스크 0.461" Dia(11.70mm) | 564R20TSSD22.pdf | |
 | 520N25CA38M4000 | 38.4MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 2.5mA | 520N25CA38M4000.pdf | |
 | P3519R-824J | 820µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 24.22 Ohm Max Nonstandard | P3519R-824J.pdf | |
Series.jpg) | PE-0402CH3N0STT | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 570mA 110 mOhm Max Nonstandard | PE-0402CH3N0STT.pdf | |
| S0603-8N2J3S | 8.2nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 150 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-8N2J3S.pdf | |
 | G6K-2P DC12 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6K-2P DC12.pdf | |
.jpg) | AC1210JR-0751KL | RES SMD 51K OHM 5% 1/2W 1210 | AC1210JR-0751KL.pdf | |
 | PT1206FR-7W0R47L | RES SMD 0.47 OHM 1% 1/2W 1206 | PT1206FR-7W0R47L.pdf | |
 | 4108R-1-682LF | RES ARRAY 4 RES 6.8K OHM 8DIP | 4108R-1-682LF.pdf | |
 | HMC372LP3E | RF Amplifier IC CDMA, GSM, EDGE, W-CDMA 700MHz ~ 1GHz | HMC372LP3E.pdf | |
 | AD8318ACPZ-R2 | RF Detector IC RADAR, 802.11/WiFi, 8.2.16/WiMax, Wireless LAN 1MHz ~ 8GHz -60dBm ~ -2dBm ±1dB 16-VQFN Exposed Pad, CSP | AD8318ACPZ-R2.pdf |
