Microsemi Corporation SMDA12C-7E3/TR7
- 제조업체 부품 번호
- SMDA12C-7E3/TR7
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- TVS - 다이오드
- 간단한 설명
- TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SMDA12C-7E3/TR7 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,794.59200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SMDA12C-7E3/TR7, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. SMDA12C-7E3/TR7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMDA12C-7E3/TR7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SMDA12C-7E3/TR7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SMDA12C-7E3/TR7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SMDA12C-7E3/TR7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SMDA03C-7 thru SMDA24C-7 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | TVSarray™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 7 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 12V | |
| 전압 - 항복(최소) | 13.3V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 24V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 5A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 300W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 75pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SMDA12C-7E3/TR7 | |
| 관련 링크 | SMDA12C, SMDA12C-7E3/TR7 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
SMDA12C-7E3/TR7 의 관련 제품
 | VJ0603D3R0DLXAP | 3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R0DLXAP.pdf | |
-2.jpg) | C0402C0G1C0R7W | 0.70pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402C0G1C0R7W.pdf | |
 | ABLS-32.000MHZ-B2-T | 32MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-32.000MHZ-B2-T.pdf | |
 | 445I35E24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35E24M57600.pdf | |
 | ASTMK-0.001KHZ-MP-DCC-H-T | 1Hz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.2 V ~ 3.63 V 1.3µA | ASTMK-0.001KHZ-MP-DCC-H-T.pdf | |
 | SIT8924BA-18-33N-16.000000E | OSC XO 3.3V 16MHZ NC | SIT8924BA-18-33N-16.000000E.pdf | |
 | MJE13007G | TRANS NPN 400V 8A TO220AB | MJE13007G.pdf | |
 | S1210R-102F | 1µH Shielded Inductor 635mA 400 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-102F.pdf | |
 | MOC3163VM | Optoisolator Triac Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP | MOC3163VM.pdf | |
 | ERJ-2GEJ245X | RES SMD 2.4M OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ245X.pdf | |
.jpg) | RT0603BRE07392RL | RES SMD 392 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE07392RL.pdf | |
 | VBPW34SR | Photodiode 940nm 100ns 130° 2-SMD, Z-Bend | VBPW34SR.pdf |
