ON Semiconductor SMUN5311DW1T1G
- 제조업체 부품 번호
- SMUN5311DW1T1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SMUN5311DW1T1G 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 82.62540
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SMUN5311DW1T1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. SMUN5311DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMUN5311DW1T1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SMUN5311DW1T1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SMUN5311DW1T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SMUN5311DW1T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MUN5311DW1, NSBC114EPXxx | |
| PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SMUN5311DW1T1G-ND SMUN5311DW1T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SMUN5311DW1T1G | |
| 관련 링크 | SMUN531, SMUN5311DW1T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
SMUN5311DW1T1G 의 관련 제품
 | 381LX102M200K032 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX102M200K032.pdf | |
 | 12102A470JAT2A | 47pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12102A470JAT2A.pdf | |
 | SQCB2M471KAJME | 470pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB2M471KAJME.pdf | |
 | C961U682MYVDCAWL20 | 6800pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | C961U682MYVDCAWL20.pdf | |
 | RDER72J104K8M1C11A | 0.10µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.295" L x 0.124" W(7.50mm x 3.15mm) | RDER72J104K8M1C11A.pdf | |
 | BFC237512512 | 5100pF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.217" W (18.50mm x 5.50mm) | BFC237512512.pdf | |
 | SMDJ12CA | TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMD | SMDJ12CA.pdf | |
 | FXO-HC530-100 | 100MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC530-100.pdf | |
| S3BR05 | BRIDGE RECT 2A 50V PCB | S3BR05.pdf | |
| IRD3CH31DF6 | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | IRD3CH31DF6.pdf | |
| MLG0603SR12JT | 120nH Unshielded Multilayer Inductor 50mA 7 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603SR12JT.pdf | |
 | RG1005V-2740-W-T1 | RES SMD 274 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-2740-W-T1.pdf |
