ON Semiconductor SMUN5335DW1T1G
- 제조업체 부품 번호
- SMUN5335DW1T1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SMUN5335DW1T1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 112.37050
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SMUN5335DW1T1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. SMUN5335DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMUN5335DW1T1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SMUN5335DW1T1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SMUN5335DW1T1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SMUN5335DW1T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MUN5335DW1, NSBC123JPDxx | |
| PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 187mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SMUN5335DW1T1G | |
| 관련 링크 | SMUN533, SMUN5335DW1T1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
SMUN5335DW1T1G 의 관련 제품
 | 381LX682M063J052 | 6800µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX682M063J052.pdf | |
 | GRM188C71A475KE11D | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X7S 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188C71A475KE11D.pdf | |
-2.jpg) | 1808AA101JATME | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808AA101JATME.pdf | |
 | MKP385311160JIP2T0 | 0.011µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP385311160JIP2T0.pdf | |
| BFC237954473 | 0.047µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC237954473.pdf | |
 | 293D155X0050D2TE3 | 1.5µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 2.9 Ohm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 293D155X0050D2TE3.pdf | |
 | MS35 20010 | ICL 20 OHM 10A 35MM | MS35 20010.pdf | |
| 30KPA33CAE3/TR13 | TVS DIODE 33VWM 58.5VC P600 | 30KPA33CAE3/TR13.pdf | |
 | ASTMHTA-66.666MHZ-ZC-E-T | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-66.666MHZ-ZC-E-T.pdf | |
 | VFT2060C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 20A 60V ITO-220AB | VFT2060C-M3/4W.pdf | |
 | 5022R-222G | 2.2µH Unshielded Inductor 620mA 950 mOhm Max 2-SMD | 5022R-222G.pdf | |
| CMF65400K00CEEK | RES 400K OHM 1.5W 0.25% AXIAL | CMF65400K00CEEK.pdf |
