창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPA07N65C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SP(P,I,A)07N65C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 32W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000216305 SPA07N65C3 SPA07N65C3IN SPA07N65C3IN-ND SPA07N65C3XK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPA07N65C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPA07N6, SPA07N65C3XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ECH-S1H822GZ | 8200pF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS) Radial 0.335" L x 0.158" W (8.50mm x 4.00mm) | ECH-S1H822GZ.pdf | |
![]() | ECQ-V1H184JL5 | 0.18µF Film Capacitor 50V Polyester, Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.177" W (7.30mm x 4.50mm) | ECQ-V1H184JL5.pdf | |
![]() | P6SMB62A-E3/52 | TVS DIODE 53VWM 85VC SMB | P6SMB62A-E3/52.pdf | |
![]() | SIT1602BI-13-33E-25.000000G | 25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602BI-13-33E-25.000000G.pdf | |
![]() | SPM4015T-1R5M | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 56 mOhm Max Nonstandard | SPM4015T-1R5M.pdf | |
![]() | 1025-44H | 10µH Unshielded Molded Inductor 144mA 3.3 Ohm Max Axial | 1025-44H.pdf | |
![]() | CRCW25124K70JNEG | RES SMD 4.7K OHM 5% 1W 2512 | CRCW25124K70JNEG.pdf | |
![]() | CRCW201039R0JNEFHP | RES SMD 39 OHM 5% 1W 2010 | CRCW201039R0JNEFHP.pdf |