창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPA11N60C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SPx11N60C3 (E8185) | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 33W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-31 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000216312 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPA11N60C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPA11N6, SPA11N60C3XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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FG26C0G2J222JNT06 | 2200pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FG26C0G2J222JNT06.pdf | ||
![]() | VJ0402D300FLXAP | 30pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D300FLXAP.pdf | |
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