Infineon Technologies SPA15N65C3XKSA1
- 제조업체 부품 번호
- SPA15N65C3XKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPA15N65C3XKSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,534.37200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPA15N65C3XKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPA15N65C3XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPA15N65C3XKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPA15N65C3XKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPA15N65C3XKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPA15N65C3XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SPA15N65C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 9.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 675µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000293730 SPA15N65C3 SPA15N65C3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPA15N65C3XKSA1 | |
| 관련 링크 | SPA15N6, SPA15N65C3XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPA15N65C3XKSA1 의 관련 제품
 | GRJ32DR72E104KWJ1L | 0.10µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRJ32DR72E104KWJ1L.pdf | |
 | VJ0805D221GLCAT | 220pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D221GLCAT.pdf | |
 | B32686A474J | 0.47µF Film Capacitor 400V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.787" W (42.00mm x 20.00mm) | B32686A474J.pdf | |
 | 08051J0R8BAWTR | 0.80pF Thin Film Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08051J0R8BAWTR.pdf | |
| TS143F33IET | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS143F33IET.pdf | |
 | 416F406X3IKT | 40.61MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406X3IKT.pdf | |
| SIT8008AI-32-33E-4.000000T | OSC XO 3.3V 4MHZ OE | SIT8008AI-32-33E-4.000000T.pdf | |
 | TB-25.000625MBD-T | 25.000625MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TB-25.000625MBD-T.pdf | |
 | NVMFS5C404NWFT1G | MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL | NVMFS5C404NWFT1G.pdf | |
| MY4-02-AC100/110 | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 110VAC Coil Through Hole | MY4-02-AC100/110.pdf | |
| H419R6DYA | RES 19.6 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | H419R6DYA.pdf | |
| Y092625R0000F9L | RES 25 OHM 8W 1% TO220-4 | Y092625R0000F9L.pdf |
