Infineon Technologies SPB08P06PGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- SPB08P06PGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPB08P06PGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 395.56400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPB08P06PGATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPB08P06PGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB08P06PGATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPB08P06PGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPB08P06PGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPB08P06PGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SPB08P06P G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 420pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000102179 SPB08P06P G SPB08P06P G-ND SPB08P06PGINTR SPB08P06PGINTR-ND SPB08P06PGXT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPB08P06PGATMA1 | |
| 관련 링크 | SPB08P0, SPB08P06PGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPB08P06PGATMA1 의 관련 제품
 | UVZ2F101MHH | 100µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ2F101MHH.pdf | |
-55.jpg) | C1608X5R1E105M080AC | 1µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X5R1E105M080AC.pdf | |
 | VJ0805D430JLPAJ | 43pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D430JLPAJ.pdf | |
| BFC237351564 | 0.56µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | BFC237351564.pdf | |
 | 06031K3R3ABTTR | 3.3pF Thin Film Capacitor 100V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06031K3R3ABTTR.pdf | |
 | DRA9124E0L | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 | DRA9124E0L.pdf | |
| MRF8S9260HSR3 | FET RF 70V 960MHZ NI-880HS | MRF8S9260HSR3.pdf | |
| 0925R-222J | 2.2µH Shielded Molded Inductor 202mA 1.1 Ohm Max Axial | 0925R-222J.pdf | |
 | CS334 | Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-SMD (0.300", 7.62mm) | CS334.pdf | |
 | CPF0805B18KE | RES SMD 18K OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B18KE.pdf | |
.jpg) | CRCW060326R1FKEB | RES SMD 26.1 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060326R1FKEB.pdf | |
 | HSCMRRN1.6BASA3 | Pressure Sensor 23.21 PSI (160 kPa) Absolute Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Same Side | HSCMRRN1.6BASA3.pdf |
