Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- SPB80N06S08ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPB80N06S08ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPB80N06S08ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPB80N06S08ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB80N06S08ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPB80N06S08ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPB80N06S08ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPB80N06S08ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SP(B,I,P)80N06S-08 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 240µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 187nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000054056 SP000084808 SPB80N06S-08 SPB80N06S-08-ND SPB80N06S08 SPB80N06S08T | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPB80N06S08ATMA1 | |
| 관련 링크 | SPB80N06, SPB80N06S08ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPB80N06S08ATMA1 의 관련 제품
 | 101X102T050AA2B | ALUM-SCREW TERMINAL | 101X102T050AA2B.pdf | |
.jpg) | C0805C301F3GACTU | 300pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C301F3GACTU.pdf | |
 | SQCA5C103KAJME | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 C 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCA5C103KAJME.pdf | |
 | 402F374XXCDT | 37.4MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F374XXCDT.pdf | |
 | SIT8008BC-13-33E-16.000000G | 16MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008BC-13-33E-16.000000G.pdf | |
 | FXO-HC730R-66.66666 | 66.66666MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC730R-66.66666.pdf | |
| HM71-40101LFTR | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 220 mOhm Max Nonstandard | HM71-40101LFTR.pdf | |
| F30J40RE | RES CHAS MNT 40 OHM 5% 30W | F30J40RE.pdf | |
 | MCR10EZPF1204 | RES SMD 1.2M OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF1204.pdf | |
.jpg) | AT0402BRD071K65L | RES SMD 1.65KOHM 0.1% 1/16W 0402 | AT0402BRD071K65L.pdf | |
 | CMF6043K200FHEB | RES 43.2K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6043K200FHEB.pdf | |
| MJ30R1FE-R52 | RES 30.1 OHM 1/8W 1% AXIAL | MJ30R1FE-R52.pdf |
