창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD01N60C3BTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SPD,SPU01N60C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Mult Device Part Status 17/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 800mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 11W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000012114 SP000307382 SPD01N60C3 SPD01N60C3-ND SPD01N60C3INTR SPD01N60C3INTR-ND SPD01N60C3XT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPD01N60C3BTMA1 | |
관련 링크 | SPD01N6, SPD01N60C3BTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CKCA43C0G1H680K100AA | 68pF Isolated Capacitor 4 Array 50V C0G, NP0 1206 (3216 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | CKCA43C0G1H680K100AA.pdf | |
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![]() | ERZ-V20D182 | VARISTOR 1800V 7.5KA DISC 20MM | ERZ-V20D182.pdf | |
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![]() | RCWE2512R430JKEA | RES SMD 0.43 OHM 5% 2W 2512 | RCWE2512R430JKEA.pdf | |
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![]() | TNPU0805158KAZEN00 | RES SMD 158K OHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU0805158KAZEN00.pdf | |
![]() | CMF557M5000GLR6 | RES 7.5M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF557M5000GLR6.pdf | |
![]() | CW0104R640KE733 | RES 4.64 OHM 13W 10% AXIAL | CW0104R640KE733.pdf |