Infineon Technologies SPD02N80C3ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- SPD02N80C3ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPD02N80C3ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 434.11230
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPD02N80C3ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPD02N80C3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD02N80C3ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPD02N80C3ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPD02N80C3ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD02N80C3ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SPD02N80C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7옴 @ 1.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 120µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001117754 SPD02N80C3ATMA1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPD02N80C3ATMA1 | |
| 관련 링크 | SPD02N8, SPD02N80C3ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPD02N80C3ATMA1 의 관련 제품
 | E32D500HPN683MCB7M | 68000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 6.5 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | E32D500HPN683MCB7M.pdf | |
-2.jpg) | 1808GA140JAT1A | 14pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GA140JAT1A.pdf | |
 | LD13CC103KAB1A | 10000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | LD13CC103KAB1A.pdf | |
| F17734302003 | 0.3µF Film Capacitor 253V 630V Polyester, Metallized Axial, Can | F17734302003.pdf | |
 | TD-106.250MCD-T | 106.25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.5V Enable/Disable | TD-106.250MCD-T.pdf | |
 | ASGTX-P-212.500MHZ-2-T2 | 212.5MHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-212.500MHZ-2-T2.pdf | |
.jpg) | HSM390J/TR13 | DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO214AB | HSM390J/TR13.pdf | |
 | RNCF0603BTC4K02 | RES SMD 4.02KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RNCF0603BTC4K02.pdf | |
 | RCWE060330L0JQEA | RES SMD 0.03 OHM 5% 1/5W 0603 | RCWE060330L0JQEA.pdf | |
.jpg) | TNPW20101K21BETF | RES SMD 1.21K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20101K21BETF.pdf | |
 | CRCW080547K5FKTB | RES SMD 47.5K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080547K5FKTB.pdf | |
| SF2-EH24-N | SENSOR 24CH 10MM 24VDC NPN | SF2-EH24-N.pdf |
