Infineon Technologies SPD06N80C3ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- SPD06N80C3ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPD06N80C3ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 750.20774
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPD06N80C3ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPD06N80C3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD06N80C3ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPD06N80C3ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPD06N80C3ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD06N80C3ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SPD06N80C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 785pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001117772 SPD06N80C3ATMA1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPD06N80C3ATMA1 | |
| 관련 링크 | SPD06N8, SPD06N80C3ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPD06N80C3ATMA1 의 관련 제품
 | MAL214864103E3 | 10000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | MAL214864103E3.pdf | |
 | ECO-S2EB561EA | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 296 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | ECO-S2EB561EA.pdf | |
-5.jpg) | CL05A334KQ5NNNC | 0.33µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05A334KQ5NNNC.pdf | |
| S820K29SL0N6UJ5R | 82pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | S820K29SL0N6UJ5R.pdf | |
 | 416F27025IAR | 27MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27025IAR.pdf | |
 | 1N5398-E3/73 | DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AL | 1N5398-E3/73.pdf | |
 | 3329S-1-500 | 50 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3329S-1-500.pdf | |
 | VLF504015MT-4R7M-CA | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 2.43A 70 mOhm Max Nonstandard | VLF504015MT-4R7M-CA.pdf | |
.jpg) | RC1005F1743CS | RES SMD 174K OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F1743CS.pdf | |
 | ESR10EZPF5101 | RES SMD 5.1K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF5101.pdf | |
| 41J35RE | RES 35 OHM 1W 5% AXIAL | 41J35RE.pdf | |
| KAF-0261-AAA-CP-BA | CMOS Image Sensor 512H x 512V 20µm x 20µm 24-CDIP | KAF-0261-AAA-CP-BA.pdf |
