Infineon Technologies SPD07N20GBTMA1
- 제조업체 부품 번호
- SPD07N20GBTMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 7A TO252
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPD07N20GBTMA1 가격 및 조달
가능 수량
11150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 450.12464
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPD07N20GBTMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPD07N20GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD07N20GBTMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPD07N20GBTMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPD07N20GBTMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD07N20GBTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SPD 07N20 G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000449008 SPD07N20 G SPD07N20 G-ND SPD07N20 GTR-ND SPD07N20G | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPD07N20GBTMA1 | |
| 관련 링크 | SPD07N2, SPD07N20GBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPD07N20GBTMA1 의 관련 제품
 | K331K15X7RH5UK2 | 330pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K331K15X7RH5UK2.pdf | |
 | K391J15C0GL53H5 | 390pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K391J15C0GL53H5.pdf | |
| VJ0805D6R2CLAAP | 6.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D6R2CLAAP.pdf | |
 | 1812WC332KAT1A\SB | 3300pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812WC332KAT1A\SB.pdf | |
 | TPSMC6.8AHE3_A/I | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMC | TPSMC6.8AHE3_A/I.pdf | |
 | SI8231AB-D-IS1 | 500mA Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC | SI8231AB-D-IS1.pdf | |
| EL3011-V | Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | EL3011-V.pdf | |
.jpg) | RT0603BRC0744R2L | RES SMD 44.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC0744R2L.pdf | |
.jpg) | TNPW12107K87BEEN | RES SMD 7.87K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12107K87BEEN.pdf | |
| TA303PA12R0J | RES 12 OHM 3W 5% RADIAL | TA303PA12R0J.pdf | |
 | CPR071K000KE10 | RES 1K OHM 7W 10% RADIAL | CPR071K000KE10.pdf | |
 | EKMC1601112 | SENSOR MOTION PIR 170UA DGTL BLK | EKMC1601112.pdf |
