Infineon Technologies SPD07N20GBTMA1

SPD07N20GBTMA1
제조업체 부품 번호
SPD07N20GBTMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 200V 7A TO252
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내부 부품 번호EIS-SPD07N20GBTMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SPD 07N20 G
PCN 포장Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열SIPMOS®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs400m옴 @ 4.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs31.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds530pF @ 25V
전력 - 최대40W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 2,500
다른 이름SP000449008
SPD07N20 G
SPD07N20 G-ND
SPD07N20 GTR-ND
SPD07N20G
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SPD07N20GBTMA1
관련 링크SPD07N2, SPD07N20GBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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