창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD15P10PGBTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SPD,SPP15P10P G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 10.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1.54mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 128W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000212233 SPD15P10P G SPD15P10P G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPD15P10PGBTMA1 | |
관련 링크 | SPD15P1, SPD15P10PGBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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GQM2195C2E510GB12D | 51pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GQM2195C2E510GB12D.pdf | ||
C901U209CUNDBA7317 | 2pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U209CUNDBA7317.pdf | ||
0TLS001.T | FUSE CARTRIDGE 1A 170VDC NON STD | 0TLS001.T.pdf | ||
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MBB02070C6984FC100 | RES 6.98M OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C6984FC100.pdf | ||
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