Infineon Technologies SPD18P06P G
- 제조업체 부품 번호
- SPD18P06P G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPD18P06P G 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 400.75326
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPD18P06P G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPD18P06P G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD18P06P G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPD18P06P G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPD18P06P G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD18P06P G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SPD18P06P G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 13.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 80W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000443926 SPD18P06P G-ND SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPD18P06P G | |
| 관련 링크 | SPD18, SPD18P06P G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPD18P06P G 의 관련 제품
 | EKMH250VSN103MP40T | 10000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 50 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH250VSN103MP40T.pdf | |
 | D332M20Z5UF6TJ5R | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D332M20Z5UF6TJ5R.pdf | |
 | 06035C332J4T2A | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C332J4T2A.pdf | |
| 06033C153K4T2A | 0.015µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033C153K4T2A.pdf | |
 | VJ0603D2R0DLAAJ | 2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R0DLAAJ.pdf | |
 | 1304R1C5.5XW | FUSE CRTRDGE 130A 5.5KVAC NONSTD | 1304R1C5.5XW.pdf | |
.jpg) | 0494.750NR | FUSE BOARD MOUNT 750MA 32VAC/VDC | 0494.750NR.pdf | |
| TF3524V-402Y6R0-01 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 6A DCR 35 mOhm | TF3524V-402Y6R0-01.pdf | |
 | 744323150 | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 12A 6.6 mOhm Nonstandard | 744323150.pdf | |
 | ISC1210SYR68J | 680nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 480 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210SYR68J.pdf | |
| CLQ4D10NP-6R8NC | 6.8µH Shielded Inductor 800mA 195 mOhm Max 4-SMD | CLQ4D10NP-6R8NC.pdf | |
 | WSL2512R0300FEA18 | RES SMD 0.03 OHM 1% 2W 2512 | WSL2512R0300FEA18.pdf |
