창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD50N03S2L06T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SPD50N03S2L-06 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 85µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2530pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SPD50N03S2L06XTINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPD50N03S2L06T | |
관련 링크 | SPD50N0, SPD50N03S2L06T Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TN0110N3-G-P002 | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 | TN0110N3-G-P002.pdf | |
![]() | AA0402FR-07680RL | RES SMD 680 OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-07680RL.pdf | |
![]() | TNPW2512169RBETG | RES SMD 169 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512169RBETG.pdf | |
![]() | SFR2500006042FR500 | RES 60.4K OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500006042FR500.pdf | |
![]() | CMF7012K000FKR6 | RES 12K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF7012K000FKR6.pdf | |
![]() | TSCDRRN600MDUCV | Pressure Sensor ±8.7 PSI (±60 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0 mV ~ 80.5 mV (5V) 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | TSCDRRN600MDUCV.pdf | |
![]() | UCC3809D-2G4 | Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC | UCC3809D-2G4.pdf |