창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD50N03S2L06T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SPD50N03S2L-06 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 85µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2530pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SPD50N03S2L06XTINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPD50N03S2L06T | |
관련 링크 | SPD50N0, SPD50N03S2L06T Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | HCM1103-1R0-R | 1µH Shielded Wirewound Inductor 15A 6 mOhm Max Nonstandard | HCM1103-1R0-R.pdf | |
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![]() | RT0603CRC07523RL | RES SMD 523 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC07523RL.pdf | |
![]() | TNPW06031K62BEEA | RES SMD 1.62KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06031K62BEEA.pdf | |
![]() | H8536RBZA | RES 536 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8536RBZA.pdf | |
![]() | WHC4R0FE | RES 4 OHM 2W 1% AXIAL | WHC4R0FE.pdf | |
![]() | CMF551M4000DHBF | RES 1.4M OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF551M4000DHBF.pdf | |
![]() | DISC890P | OMNI SB DD 890-960MHZ LP | DISC890P.pdf | |
![]() | DC715A | EVAL BOARD FOR LTC5530ES6 | DC715A.pdf | |
![]() | P51-15-G-O-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-15-G-O-I12-20MA-000-000.pdf |