Infineon Technologies SPD50N03S2L06T

SPD50N03S2L06T
제조업체 부품 번호
SPD50N03S2L06T
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Datesheet 다운로드
다운로드
SPD50N03S2L06T 가격 및 조달

가능 수량

3157 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,089.07400
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SPD50N03S2L06T, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPD50N03S2L06T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD50N03S2L06T, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SPD50N03S2L06T 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SPD50N03S2L06T 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SPD50N03S2L06T
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SPD50N03S2L-06
카탈로그 페이지 1612 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C50A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.4m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 85µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs68nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2530pF @ 25V
전력 - 최대136W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 1
다른 이름SPD50N03S2L06XTINCT
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SPD50N03S2L06T
관련 링크SPD50N0, SPD50N03S2L06T Datasheet, Infineon Technologies Distributor
SPD50N03S2L06T 의 관련 제품
820µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 6 mOhm 2000 Hrs @ 105°C RL80G821MDN1PX.pdf
560µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C 63TXW560MEFC10X40.pdf
330µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 390 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C B43504D2337M7.pdf
330µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 410 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C B43305B5337M60.pdf
10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) 1812AC103MAT1Q.pdf
20MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445I33H20M00000.pdf
DIODE ZENER 33V 410MW SOD123 BZT52C33-E3-18.pdf
18µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 160 mOhm Max Nonstandard SDS850R-183M.pdf
RELAY GEN PURP T9AP5D52-24-01.pdf
RES SMD 200K OHM 0.1% 1/4W 1210 RT1210BRD07200KL.pdf
RES SMD 50 OHM 2% 22W 2512 RCP2512B50R0GS2.pdf
RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT ENW-89815A3KF.pdf