Infineon Technologies SPI08N50C3HKSA1
- 제조업체 부품 번호
- SPI08N50C3HKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPI08N50C3HKSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,235.24800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPI08N50C3HKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPI08N50C3HKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPI08N50C3HKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPI08N50C3HKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPI08N50C3HKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPI08N50C3HKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SP(P,I,A)08N50C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 350µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000014461 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPI08N50C3HKSA1 | |
| 관련 링크 | SPI08N5, SPI08N50C3HKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPI08N50C3HKSA1 의 관련 제품
 | 16ML22MEFCTZ4X7 | 22µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 16ML22MEFCTZ4X7.pdf | |
 | MAL209334561E3 | 560µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 310 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MAL209334561E3.pdf | |
 | VJ1808A910KBLAT4X | 91pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A910KBLAT4X.pdf | |
 | 224PPS252K | 0.22µF Film Capacitor 700V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.984" Dia x 1.811" L (25.00mm x 46.00mm) | 224PPS252K.pdf | |
 | 893D225X0025D2TE3 | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 893D225X0025D2TE3.pdf | |
 | SMCJ36C | TVS DIODE 36VWM 61.01VC SMC | SMCJ36C.pdf | |
 | 445W25S24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 시리즈 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25S24M57600.pdf | |
 | ASTMHTFL-20.000MHZ-ZC-E | 20MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-20.000MHZ-ZC-E.pdf | |
| 2500R-56G | 3.9mH Unshielded Molded Inductor 62mA 44 Ohm Max Axial | 2500R-56G.pdf | |
.jpg) | CRCW120612K0FHTAP | RES SMD 12K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120612K0FHTAP.pdf | |
 | CA000116R00KE66 | RES 16 OHM 1W 10% AXIAL | CA000116R00KE66.pdf | |
| P51-200-G-T-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-G-T-MD-20MA-000-000.pdf |
