창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPI80N03S2L-06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SP(I,P,B)80N03S2L-06 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 26/Oct/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 80µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2530pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000016265 SPI80N03S2L06X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPI80N03S2L-06 | |
관련 링크 | SPI80N0, SPI80N03S2L-06 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CBR02C159C8GAC | 1.5pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C159C8GAC.pdf | |
![]() | SR121A151JARTR1 | 150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR121A151JARTR1.pdf | |
![]() | T95D227M010LSAL | 220µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 65 mOhm 0.293" L x 0.170" W (7.44mm x 4.32mm) | T95D227M010LSAL.pdf | |
![]() | JJS-175 | FUSE CRTRDGE 175A 600VAC CYLINDR | JJS-175.pdf | |
![]() | SIT9001AI-13-18E3-27.000000T | OSC XO 1.8V 27MHZ OE 0.25% | SIT9001AI-13-18E3-27.000000T.pdf | |
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![]() | HC2-H-DC24V-F | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 24VDC Coil Socketable | HC2-H-DC24V-F.pdf | |
THS506K8J | RES CHAS MNT 6.8K OHM 5% 50W | THS506K8J.pdf | ||
![]() | RT1206DRD0725K5L | RES SMD 25.5K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD0725K5L.pdf | |
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