창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP08N50C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SP(P,I,A)08N50C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000681038 SPP08N50C3 SPP08N50C3IN SPP08N50C3IN-ND SPP08N50C3X SPP08N50C3X-ND SPP08N50C3XK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPP08N50C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPP08N5, SPP08N50C3XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CRCW2010137RFKEF | RES SMD 137 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW2010137RFKEF.pdf | |
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![]() | RG3216N-64R9-W-T1 | RES SMD 64.9 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-64R9-W-T1.pdf | |
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![]() | HTB 100-TP | Current Sensor 100A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module, Single Pass Through | HTB 100-TP.pdf | |
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