창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP11N60C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SP(P,I,A)11N60C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 500µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000681040 SPP11N60C3 SPP11N60C3BKSA1 SPP11N60C3IN SPP11N60C3IN-ND SPP11N60C3X SPP11N60C3XIN SPP11N60C3XIN-ND SPP11N60C3XK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SPP11N60C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPP11N6, SPP11N60C3XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 402F26033CAT | 26MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F26033CAT.pdf | |
![]() | DSCQ00100L | TRANS NPN 50V 0.1A USSMINI3 | DSCQ00100L.pdf | |
![]() | TE500B270RJ | RES CHAS MNT 270 OHM 5% 500W | TE500B270RJ.pdf | |
![]() | AC0201FR-0719R6L | RES SMD 19.6 OHM 1% 1/20W 0201 | AC0201FR-0719R6L.pdf | |
![]() | TNPW060315K0BETA | RES SMD 15K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060315K0BETA.pdf | |
![]() | MRS16000C4702FCT00 | RES 47K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C4702FCT00.pdf | |
![]() | CFR100G1K5 | RES 1.5K OHM 1W 2% AXIAL | CFR100G1K5.pdf | |
![]() | NSCSSNN015PGUNV | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 77.5 mV (5V) 4-SIP Module | NSCSSNN015PGUNV.pdf |