Infineon Technologies SPW52N50C3
- 제조업체 부품 번호
- SPW52N50C3
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 560V 52A TO-247
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SPW52N50C3 가격 및 조달
가능 수량
1810 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 7,696.10400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SPW52N50C3, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. SPW52N50C3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPW52N50C3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SPW52N50C3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPW52N50C3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPW52N50C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SPW52N50C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 2.7mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 290nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 417W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP000014626 SPW52N50C3-ND SPW52N50C3FKSA1 SPW52N50C3IN SPW52N50C3X SPW52N50C3XK | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SPW52N50C3 | |
| 관련 링크 | SPW52, SPW52N50C3 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
SPW52N50C3 의 관련 제품
 | MAL212017102E3 | 1000µF 40V Aluminum Capacitors Axial, Can 59 mOhm 8000 Hrs @ 125°C | MAL212017102E3.pdf | |
 | 601D227G050FJ1 | 220µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 601D227G050FJ1.pdf | |
 | SQCB7M5R6DATME\500 | 5.6pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M5R6DATME\500.pdf | |
| T95R336M035LZSS | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V 2824 (7260 Metric) 280 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R336M035LZSS.pdf | |
 | ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T3 | 28.63636MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-28.63636MHZ-18-D2Y-T3.pdf | |
 | V30D60C-M3/I | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V SMPD | V30D60C-M3/I.pdf | |
 | RG1005V-3570-W-T5 | RES SMD 357 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-3570-W-T5.pdf | |
 | CSC08A03120RGEK | RES ARRAY 4 RES 120 OHM 8SIP | CSC08A03120RGEK.pdf | |
 | MBA02040C8878FRP00 | RES 8.87 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C8878FRP00.pdf | |
 | AMB240905 | SENSOR REFL MIDDLE H-TYPE OSC | AMB240905.pdf | |
| P51-15-S-UCA-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Sealed Gauge 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-S-UCA-M12-4.5OVP-000-000.pdf | |
| IMB25652M12 | Inductive Proximity Sensor 0.079" (2mm) | IMB25652M12.pdf |
