창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ2310ES-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQ2310ES | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-058-2014-Rev-2 15/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 485pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQ2310ES-T1-GE3 SQ2310ES-T1-GE3TR SQ2310ES-T1-GE3TR-ND SQ2310ES-T1_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQ2310ES-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ2310E, SQ2310ES-T1_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 51F-712-001 | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 3000pF 10A Axial, Bushing, 1 Turret Lead | 51F-712-001.pdf | |
![]() | ESR10EZPJ163 | RES SMD 16K OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ163.pdf | |
![]() | PE2010FKF7W0R015L | RES SMD 0.015 OHM 1% 1W 2010 | PE2010FKF7W0R015L.pdf | |
![]() | HRG3216P-3161-D-T5 | RES SMD 3.16K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-3161-D-T5.pdf | |
![]() | RCP0603W750RJS2 | RES SMD 750 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W750RJS2.pdf | |
![]() | Y40231K00000D9W | RES SMD 1K OHM 0.5% 0.3W 1206 | Y40231K00000D9W.pdf | |
![]() | CPCP052R200JB31 | RES 2.2 OHM 5W 5% RADIAL | CPCP052R200JB31.pdf | |
![]() | Y000714K9250T9L | RES 14.925KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000714K9250T9L.pdf | |
![]() | Y0007100K000V0L | RES 100K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y0007100K000V0L.pdf | |
![]() | 62A11-02-150S | OPTICAL ENCODER | 62A11-02-150S.pdf |