Vishay BC Components SQ3469EV-T1_GE3

SQ3469EV-T1_GE3
제조업체 부품 번호
SQ3469EV-T1_GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
Datesheet 다운로드
다운로드
SQ3469EV-T1_GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 268.72567
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SQ3469EV-T1_GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SQ3469EV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3469EV-T1_GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SQ3469EV-T1_GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SQ3469EV-T1_GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SQ3469EV-T1_GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SQ3469EV-T1-GE3
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014
PCN 부품 번호New Ordering Code 19/Mar/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs36m옴 @ 6.7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs27nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1020pF @ 10V
전력 - 최대5W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
다른 이름SQ3469EV-T1-GE3
SQ3469EV-T1-GE3-ND
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SQ3469EV-T1_GE3
관련 링크SQ3469E, SQ3469EV-T1_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SQ3469EV-T1_GE3 의 관련 제품
390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 230 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C B43540A2397M80.pdf
120µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.13 Ohm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C B43504A127M67.pdf
56pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) K560J15C0GF5UH5.pdf
100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.150" W(3.81mm x 3.81mm) SR121A101JAAAP1.pdf
VARISTOR 430V 3.5KA DISC 10.5MM ERZ-E08B431CS.pdf
9.216MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ECS-92.1-20-5P-TR.pdf
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 0.662mW/sr @ 20mA 30° Radial LTE-306.pdf
AC/DC CONVERTER 12V 110W MVAD160-12.pdf
33µH Unshielded Toroidal Inductor 1.66A 54 mOhm Max Nonstandard 40330C.pdf
RES SMD 4.3M OHM 5% 1/5W 0603 CRGH0603J4M3.pdf
RES SMD 25K OHM 0.25% 0.3W 1206 Y162525K0000C9R.pdf
RES 24.9 OHM 1/2W 1% AXIAL CMF5524R900FHBF.pdf