창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ4940AEY-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQ4940AEY | |
PCN 조립/원산지 | SIL-048-2014-Rev-1 20/May/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 5.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 741pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SQ4940AEY-T1-GE3 SQ4940AEY-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQ4940AEY-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ4940AE, SQ4940AEY-T1_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | VJ0402D150FLBAJ | 15pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D150FLBAJ.pdf | |
![]() | CMR08F913GPAR | CMR MICA | CMR08F913GPAR.pdf | |
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![]() | 416F25022AAT | 25MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25022AAT.pdf | |
![]() | SIT8008ACB1-33S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Standby | SIT8008ACB1-33S.pdf | |
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![]() | MCT06030D2871BP100 | RES SMD 2.87KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D2871BP100.pdf | |
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![]() | P51-2000-A-O-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-2000-A-O-I36-5V-000-000.pdf |