창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD50N06-09L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQD50N06-09L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3065pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD50N06-09L-GE3 SQD50N06-09L-GE3-ND SQD50N06-09L_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQD50N06-09L_GE3 | |
관련 링크 | SQD50N06, SQD50N06-09L_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | MLG0603S2N2BTD25 | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 250 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S2N2BTD25.pdf | |
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![]() | CRGH1206F22R6 | RES SMD 22.6 OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F22R6.pdf | |
![]() | RT1210BRD07392KL | RES SMD 392K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07392KL.pdf | |
![]() | Y0058604R000B0L | RES 604 OHM 0.3W 0.1% AXIAL | Y0058604R000B0L.pdf |